메모리 모듈 제조사로 알려진 지스킬 (G.Skill)은 오는 9월 열리는 인텔 IDF 2013을 통해 DDR3 후속인 차세대 DDR4 메모리를 소개할 것이라는 소식이다.
소식을 전한 techpowerup은 지스킬이 IDF 2013에 인텔 메모리 커뮤니티 부스 165를 차리고 차세대 DDR4 메모리를 공개할 계획이라고 전했다. 또한 여기에서는 기존 DDR3 기반 쿼드 채널 고성능 메모리 킷 등도 함께 소개할 것이라고 밝혔다.
인텔은 IDF를 통해 LGA2011 소켓 기반 샌디브릿지-E (Sandy Bridge-E) 후속 아이비브릿지-E (Ivy Bridge-E)를 소개할 것으로 알려졌다.
DDR4 칩 제조사와 DDR4 메모리 모듈 및 스펙 등 어떤 것을 공개할지는 구체적으로 밝히지 않았으며 DDR4 메모리를 공개할 것이라는 내용만 전해 구체적인 사항은 IDF가 열리면 확인 가능할 것으로 보인다.
현재까지 알려진 바로 DDR4 메모리는 삼성전자와 SK하이닉스 (SK Hynix)를 비롯한 주요 메모리 칩 제조사에서 개발 및 생산 시기를 조율하고 있으며 대량 양산 시기는 2015년에서 2016년 사이로 예상해 실제 데스크탑 사용 시기는 아직 멀어 보인다.
인텔은 DDR4 메모리를 2014년 말 아이비브릿지-E 후속 하스웰-E (Haswell-E) 프로세서에서 지원하며 DDR3 메모리는 지원 환경이 갖추어질 때까지 주력으로 사용할 것으로 알려졌다.
DDR4 메모리는 JEDEC 스펙에서 1.2V로 동작하도록 제안하고 있으며 현세대 DDR3가 1.5V로 동작하는 것과 전압 차이가 있어 더 낮은 전압을 통해 컴포넌트 수명 및 전력 소모를 줄이는 것이 가능하다. 잠재적으로 1.35V로 동작하는 DDR3 모듈과 비교해 40% 가량 적은 전력을 소모할 것으로 예상했다.
|
[영상] 메모리 부족 시대 검증된 메모리와 SSD의 더 많은 국내 도입이 절실합니다, 코잇 바이윈(BIWIN) 
