AMD와 SK하이닉스는 3D 스택 (Stack) 메모리로 알려진 HBM 메모리를 개발 중인 것으로 알려졌다.
소식을 전한 expreview에 따르면 양사가 서로 협력해 개발 중인 HBM (High Bandwidth Memory) 메모리는 기존 그래픽카드에 사용하는 GDDR5 메모리 대비 성능은 65%, 전력소모는 40%를 줄일 수 있다고 전했다.
CPU와 GPU는 현재 다양한 기술 적용과 트랜지스터 집적도가 늘어나면서 데이터 공유를 위한 메모리가 중요하게 작용되고 있으며 고용량과 더 빠른 속도를 필요로 하고 있다. 그래픽카드를 예로 들면 현재 GDDR5를 탑재하고 있으며 앞으로는 고성능을 위해 더 높은 메모리를 요구할 것으로 알려졌다.
AMD와 SK하이닉스가 협력해 만들고 있는 HBM 메모리는 3D 스택 메모리 중의 하나이며 마이크론 (Micron)과 IBM, 삼성전자가 개발하고 있는 HMC 역시 3D 스택 메모리에 속한다.
AMD는 아직 스택 기술이 적용되지 않은 메인스트림 CPU와 GPU, APU 시장에 큰 영향을 미칠 것으로 예상했으며 HBM은 이들 분야를 크게 변화시킬 것이라고 밝혔다. 함께 협력하는 SK하이닉스는 2종의 스택 메모리를 개발 중이며 하나는 3DS, 다른 하나는 그래픽과 네트웍 등을 위한 HBM 메모리이며 이들의 JEDEC 스펙은 거의 완료되었다고 전했다.
3D 스택 메모리는 TSV 기술을 이용하며 HBM은 멀티 채널 제공으로 높은 대역폭을 구현해 고성능이 요구되는 네트웍과 그래픽 분야에 활용 가능할 것으로 알려졌다. 3DS는 비용과 속도의 균형을 고려한 메인 메모리 등에 사용 가능할 것으로 알려졌다.
HBM 메모리는 샘플 추출을 진행한 것으로 알려졌으며 현재 3D 스택 기술을 이용한 HMC는 2014년 양산이 예상되는데 HBM 메모리 역시 비슷한 시기의 양산, LPDDR4 모바일 메모리도 2014년 양산이 예상된다. HBM 메모리 대역폭은 128GB/s로 LPDDR4의 25.6GB/s 대비 크게 높다.
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