인텔의 14nm 공정 기반 브로드웰 (Broadwell) 프로세서의 출시가 이루어지고 있는 가운데 10nm와 보다 미세한 7nm 공정 도입도 계획하고 있다.
소식을 전한 fudzilla는 인텔이 14nm 공정에 이어 10nm 공정도 개발을 진행 중이며 보다 미세한 공정도 지속적으로 개발해 올해로 50주년이 되는 무어의 법칙 (Moore's Law, 매 18개월마다 반도체 집적회로의 성능이 2배로 증가한다는 법칙)을 이어나갈 것이라고 전했다.
무어의 법칙은 7nm에 이르러 한계에 직면할 것으로 예상되고 있으나 인텔은 기존 기술에 더해 다음 몇 년 동안에도 새로운 공정 개발에 박차를 가할 것이며 10nm 공정은 2016년, 7nm 공정은 2018년에 전환할 계획을 갖고 있는 것으로 알려졌다. 다른 한편으로 ASML의 EUV 기술에 맞춰 2017년 10nm, 2020년 7nm 양산이 가능할 것으로 전망되고 있다. ASML의 EUV는 10nm 이후 공정의 주요 기술로 보다 미세한 반도체 생산을 가능하게 해줄 기술이며 ASML은 2016년 EUV를 이용한 양산이 가능할 것으로 예상된다.
인텔은 14nm 공정의 연기가 이루어진 이후 현재 브로드웰 (Broadwell) 기반 저전력 코어 M (Core M) 프로세서 라인업을 출시하고 있으며 10nm 공정도 진행 중이고 14nm 개발보다 더 나은 상황이며 향후 10nm 공정 제품도 등장 가능할 것으로 보인다. TSMC는 16nm FinFET 공정을 도입하고 있고 삼성전자는 글로벌파운드리 (Globalfoundries)와 협력해 14nm FinFET 공정을 본격적으로 도입하기 시작했는데 인텔은 이들보다 공적 적용 시기가 앞서 있으며 실제 제품 생산 역시 앞서고 있다. 이러한 추세는 보다 미세한 10nm 공정이나 7nm 공정에서도 이어질 것으로 전망된다.
인텔은 ISSCC 2015 행사를 통해 10nm와 그 이하의 미세공정 기반의 SoC에는 기존 CMOS 기술에서 더 나아가 2.5D 또는 3D를 이용한 통합 시스템 구축에 대한 내용도 소개할 것으로 알려졌다.
한편 인텔은 x86 시장에 14nm 공정을 처음 도입한 반면 AMD는 현재 28nm 공정, ARM은 삼성전자를 통해 14nm 공정 SoC를 도입하기 시작했다.
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