ÃÖ±Ù ÆÄ¿îµå¸® Á¦Á¶»çÀÇ ¹Ì¼¼°øÁ¤ °æÀïÀÌ È°¹ßÇÏ°Ô ÁøÇàµÇ°í ÀÖ´Â °¡¿îµ¥ TSMC´Â 16nm FinFET °øÁ¤, »ï¼º°ú ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸® (Globalfoundries) ¿¬ÇÕÀº 14nm FinFET °øÁ¤¿¡ ÁýÁßÇϰí ÀÖÀ¸¸ç UMC ¿ª½Ã 20nm °øÁ¤ ´ë½Å 14nm FinFET °³¹ß¿¡ ÁýÁßÇÒ °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò½ÄÀÌ´Ù.
¼Ò½ÄÀ» ÀüÇÑ expreview´Â ÆÄ¿îµå¸® Á¦Á¶»çÀÎ UMC°¡ »ï¼º°ú ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®Ã³·³ ¹Ì¼¼°øÁ¤À¸·Î 20nm ´ë½Å 14nm FinFET °³¹ß¿¡ ¿ª·®À» ÁýÁßÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸Àδٰí ÀüÇß´Ù.

±×¿¡ µû¸£¸é UMC´Â IBM°ú Çù·ÂÇØ ¹Ì¼¼°øÁ¤À» °³¹ß ÁßÀ̸ç À̸¦ ¹ÙÅÁÀ¸·Î ÆÄ¿îµå¸® ½ÃÀåÀÇ 1À§ÀÎ TSMC¿Í´Â °ÝÂ÷°¡ ÀÖÁö¸¸ ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®·ÎºÎÅÍ 2À§ ÀÚ¸®¸¦ Â÷ÁöÇßÀ¸¸ç 28nm °øÁ¤ »ý»ê ÁøÇà »óȲµµ ¼øÁ¶·Ó°Ô ÁøÇà ÁßÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
ÇöÀç 20nm °øÁ¤Àº TSMC ¿Ü¿¡ ´Ù¸¥ ÆÄ¿îµå¸®»ç´Â 14nm FinFET °øÁ¤À¸·ÎÀÇ ÀÌÀü¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡Çϰí ÀÖ´Â »óȲÀ¸·Î UMC ¿ª½Ã 20nm´Â °Ç³Ê¶Ù´Â ´ë½Å 14nm FinFET °øÁ¤À» µµÀÔÇØ ÆÄ¿îµå¸® ½ÃÀåÀÇ °æÀïÀ» Áö¼ÓÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù. UMCÀÇ 14nm FinFET °øÁ¤Àº 2ºÐ±â ½ÃÇè »ý»ê, 4ºÐ±â°¡ µÇ¸é ÇÑ´Ü°è ´õ ³ª¾Æ°¡°í 2016³âÀÌ µÇ¸é Á¦Ç° »ý»êÀÌ °¡´ÉÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù.
ÇÑÆí UMC´Â ½ÇÀû ¹ßÇ¥¿¡¼ 1ºÐ±â 39.8¾ï ´ë¸¸ ´Þ·¯ÀÇ ¼öÀÍÀ» °ÅµÎ¾ú´Ù°í ¹ßÇ¥ÇßÀ¸¸ç ÀÌ´Â À۳⠴ëºñ 237%°¡ Áõ°¡ÇÑ ¼öÄ¡·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. 28nm °øÁ¤Àº 7%¿¡¼ 9%·Î ¼öÀÍÀÌ Áõ°¡ÇßÀ¸¸ç ÀÌ´Â ºÒ°ú 1³âÀüÀÇ 0%¿¡¼ Å©°Ô Áõ°¡ÇÑ °ÍÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù.
|