TSMC°¡ 2015³â 2ºÐ±â ½ÇÀû ¹ßÇ¥ °úÁ¤¿¡¼ 10nm °øÁ¤ Ĩ »ý»ê¿¡ ´ëÇÑ Á¤º¸¸¦ °ø°³Çß´Ù. 
¿Ü½Åµé¿¡ µû¸£¸é TSMC´Â "´çÃÊ °èȹ´ë·Î 10nm °øÁ¤ Ĩ »ý»êÀ» À§ÇÑ ÀýÂ÷°¡ ¼øÁ¶·Ó°Ô ÁøÇàµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, ´ë·® »ý»êÀº 2016³â 4ºÐ±â·Î °èȹ"Çϰí ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¹àÇû´Ù. ´ÜÁö, 10nm °øÁ¤ Á¦Ç°ÀÇ ¾ç»êÀÌ °èȹ´ë·Î 2016³â 4ºÐ±â ½ÃÀ۵ȴٰí ÇØµµ ½ÇÁ¦ Á¦Ç°À» ½ÃÀå¿¡¼ ¸¸³ªº¼ ¼ö ÀÖ´Â °ÍÀº 2017³â 1ºÐ±â·Î ¿¹»óÇϰí ÀÖ´Ù. 10nm °øÁ¤ÀÇ °æ¿ì 16nm °øÁ¤°ú ºñ±³ÇØ Æ®·£Áö½ºÅÍ ¹Ðµµ¸¦ 110% ~ 120% °¡·® ³ôÀ» ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ¼Òºñ Àü·ÂÀÌ µ¿ÀÏÇÑ °æ¿ì µ¿ÀÛ Å¬·°Àº ¾à 15%, µ¿ÀÛ Å¬·°ÀÌ µ¿ÀÏÇÑ °æ¿ì¶ó¸é ¼ÒºñÀü·ÂÀÌ 35% °³¼±µÉ °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ÇÑÆí, ÀÎÅÚÀÇ °æ¿ì 10nm °øÁ¤ÀÇ ³À̵µ·Î ÀÎÇØ °øÁ¤ ÀüȯÀ» 2017³âÀ¸·Î ¿¬±âÇÑ ¹Ù ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ¿¡ µû¶ó ºê·ÎµåÀ£°ú °°Àº Æ÷Áö¼Ç¿¡ À§Ä¡ÇÒ ¿¹Á¤À̾ú´ø Ä«ºñ·¹ÀÌÅ©¸¦ °ø½Ä ¶óÀξ÷À¸·Î »õ·Ó°Ô Æ÷Áö¼Å´×Çϰí, 10nm °øÁ¤ÀÇ Ä³³í·¹ÀÌÅ©´Â 2017³â ÀÌÈÄ Ãâ½ÃÇÒ °èȹÀÎ °ÍÀ¸·Î ÀüÇØÁö°í ÀÖ´Ù.
|