´Ù¾çÇÑ ÀüÀÚ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ °ÉÃÄ °í°´µé¿¡°Ô ±â¿©ÇÏ´Â ¼¼°èÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ȸ»ç ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ 10¿ù 14ÀϺÎÅÍ 3Àϰ£ ŲŨ½º(KINTEX)¿¡¼ °³ÃֵǴ 'Á¦ 17ȸ ±¹Á¦¹ÝµµÃ¼´ëÀü(i-SEDEX 2015)'¿¡¼ º¸´Ù ¿¡³ÊÁö È¿À²ÀûÀÌ°í ¿¬°áµÈ(connected) ‘½º¸¶Æ® ½ÃƼ’ ±¸Çö ±â¼úÀ» ¼±º¸ÀδÙ.

½º¸¶Æ® ½ÃƼÀÇ ±âº» °³³äÀº µµ½Ã ÀüüÀÇ ¿¡³ÊÁö È¿À²¼º°ú »ý»ê¼ºÀ» ³ôÀ̱â À§ÇØ ¼¾½Ì, ¿¬°á¼º, ±×¸®°í µ¥ÀÌÅÍ ÇÁ·Î¼¼½Ì ±â¼ú µîÀ» Àû¿ëÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. Àü·Â È¿À²¼º À̿ܿ¡µµ °Ç¹°°ú °ø°ø±â¹Ý½Ã¼³ÀÇ °ü¸®, Ȱ¿ë, À¯Áö º¸¼ö µîÀ» °³¼±ÇÏ´Â µ¥¿¡ ÃÊÁ¡À» ¸ÂÃß°í ÀÖ´Ù.
ST´Â À̹ø ±¹Á¦¹ÝµµÃ¼´ëÀü¿¡¼ ¹«¼± ¸Þ½Ã ³×Æ®¿öÅ©¿¡ ¿¬°áµÈ ´Ù¾çÇÑ ¼¾¼ ³ëµå¸¦ »ç¿ëÇÏ´Â ½º¸¶Æ® ½ÃƼ µ¥¸ð¸¦ ½Ã¿¬ÇÑ´Ù. ÀÌ ¼¾¼ ³ëµåµéÀº ½º¸¶Æ® Á¶¸í ¸ð´ÏÅ͸µ ¹× Á¦¾î, ½º¸¶Æ® ¾²·¹±â ¸ð´ÏÅ͸µ, ½º¸¶Æ® Áøµ¿ °¨Áö, ½º¸¶Æ® ȯ°æ ¸ð´ÏÅ͸µ µîÀ» ¼öÇàÇÑ´Ù.
ST ºÎ½º¿¡ ¼³Ä¡µÈ ¹«¼± ¸Þ½Ã ¼¾¼ ³×Æ®¿öÅ©°¡ ±ÙÁ¢¼¾¼ ³ëµå¸¦ ÅëÇØ ¹«¼±À¸·Î Á¶Á¾µÇ´Â Â÷·®ÀÇ À§Ä¡¸¦ °¨ÁöÇÏ¿© µµ·Î Á¶¸íÀ» Á¶Á¤ÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ °¡¼Óµµ ¼¾¼ ³ëµå¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ºôµùÀÇ Áøµ¿À» °¨ÁöÇϰí, ºÎ½º ÁÖº¯¿¡ ¼³Ä¡µÈ ȯ°æ ¼¾¼ ³ëµå¸¦ ÅëÇØ ¿Âµµ, ½Àµµ, ¾Ð·ÂÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. ÀÌ ¹Û¿¡µµ, ¹«¼± ¿¬°áµÈ Á¶¸í Á¦¾î º¸µå¸¦ ÅëÇØ ºÎ½º ³» Á¶¸íÀÇ Àü·Â ¼Òºñ·®À» ½Ç½Ã°£À¸·Î ¸ð´ÏÅ͸µÇÑ´Ù. ºÎ½ºÀÇ ¼¾¼ ³ëµå¿¡¼ ¼öÁýµÈ ¸ðµç µ¥ÀÌÅÍ´Â ³×Æ®¿öÅ©¸¦ ÅëÇØ ÇϳªÀÇ È¸é¿¡ Ç¥½ÃµÈ´Ù. ÀÌ µ¥¸ð¸¦ À§ÇØ STÀÇ 32ºñÆ® MCU, ¼¾¼, RF ¹× Àü·Â µîÀÇ ´Ù¾çÇÑ µð¹ÙÀ̽º¿ë °³¹ß º¸µå¿Í ÆÄ¶óµ¶½º ¿£Áö´Ï¾î¸µ(Paradox Engineering)[1] ÀÇ ¹«¼± Ç® ¸Þ½Ã ³×Æ®¿öÅ© Åë½Å Ç÷§ÆûÀ» °áÇÕÇß´Ù.
¶ÇÇÑ 32ºñÆ® ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÁÆ®·Ñ·¯ °³¹ßº¸µå(Nucleo)¿Í ´õºÒ¾î ¸ð¼Ç MEMS ¹× ȯ°æ ¼¾¼, MEMS ¸¶ÀÌÅ©, ¸ðÅÍ µå¶óÀ̹ö, ºí·çÅõ½ºLE(BLE), ´ÙÀ̳ª¹Í NFCű׸¦ ±¸ÇöÇÏ´Â È®Àå º¸µåµé(X-Nucleo)À» Æ÷ÇÔÇÏ´Â ´Ù¾çÇÑ ÃֽŠÀÓº£µðµå °³¹ß ¿¡ÄڽýºÅÛÀ» üÇèÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. STÀÇ °³¹ß ¿¡ÄڽýºÅÛÀº ½º¸¶Æ® ½ÃƼ¿Í IoT ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» ´õ¿í ½±°í ºü¸£°Ô °³¹ß ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ¼³°èµÆ´Ù.
ÇÑÆí, ÃÖ±ÙÀÇ ÀüÀÚ Á¦Ç°µé¿¡¼ ÆÄ¿ö ¾î´ðÅÍÀÇ Á¾·ù°¡ ´Ù¾çÇØÁö¸é¼ °£´ÜÇÏ°í »ç¿ëÀÚ Ä£ÈÀûÀÎ Àü·Â °ø±Þ ¼Ö·ç¼Ç¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä°¡ Áõ°¡Çϰí ÀÖ´Ù. ¹«¼± Àü·Â °ø±Þ ºÎ¹®¿¡¼ ST´Â Qi¿Í PMA±Ô°ÝÀ» µû¸£´Â ÷´Ü ¸ÖƼ Ç÷§Æû µðÁöÅÐ ÆÄ¿ö ÄÁÆ®·Ñ·¯ IC¸¦ ¼±º¸ÀδÙ. ÀÌ ¹Û¿¡µµ, ½º¸¶Æ®ÆùÀ̳ª ÅÂºí¸´ PC¿ë AC ¾î´ðÅÍ ÃæÀü±â¿¡ ÀûÇÕÇÑ ¸ÖƼ¸ðµå ÆÄ¿ö ÄÁÆ®·Ñ·¯ IC¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ´Â ´ë±â Àü·Â ¸ð´ÏÅ͸µ ¼Ö·ç¼Ç, »õ·Î Ãâ½ÃµÈ 1200V SiC(silicon carbide) Àü·Â MOSFET µîÀ» ¼Ò°³ÇÑ´Ù.
¾÷°è ¼±µµ MEMS µð¹ÙÀ̽º °ø±Þ¾÷üÀÎ ST´Â Ãֽм¾¼ ¼Ö·ç¼Çµµ ÇÔ²² ¼±º¸ÀδÙ. 3Ãà µðÁöÅÐ Ãâ·Â °¡¼Óµµ ¼¾¼¿Í 3Ãà ÀÚÀ̷νºÄÚÇÁ°¡ ÅëÇÕµÈ 6Ãà MEMS ¼¾¼ ¸ðµâ Æò°¡ º¸µå´Â ÄÞÆÑÆ®ÇÑ ÆûÆÑÅÍ(2.5 × 3.0 × 0.8 mm)¿Í °æÀï Á¦Ç°º¸´Ù ¾à 20% ±îÁö ¿ì¼öÇÑ Àü·Â È¿À²¼ºÀ» ÀÚ¶ûÇÑ´Ù. STÀÇ MEMS ¸¶ÀÌÅ© ¹× ÀúÀü·Â ºí·çÅõ½º(Bluetooth Low-Energy, BLE) ±â¼ú ±â¹ÝÀÇ À½¼ºÀÎ½Ä ¼Ö·ç¼Çµµ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
À̹ø ±¹Á¦¹ÝµµÃ¼´ëÀüÀº ST°¡ Á¦½ÃÇÏ´Â ÃÖ÷´Ü ±â¼úÀÌ ¾ÕÀ¸·Î ´Ù°¡¿Ã ½º¸¶Æ® ½ÃƼ¿¡ ¾î¶² ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¡¸ç, ³ª¾Æ°¡ ¿ì¸®ÀÇ ÀÏ»ó »ýȰ¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ±îÁö ¿³º¼ ¼ö ÀÖ´Â ±âȸ¸¦ Á¦°øÇÒ °ÍÀÌ´Ù.