Áß±¹¿¡¼ ³»¼ö ½ÃÀåÀ» À§ÇÑ ÀÚü DRAM ¾ç»ê¿¡ µé¾î°£´Ù´Â Á¤º¸°¡ ÀüÇØÁ³´Ù.
À̹ø ¼Ò½Ä¿¡¼ È®ÀÎµÈ Á¤º¸¿¡ ÀÇÇϸé Áß±¹»ê DRAMÀº ChangXin Memory Technology¿¡¼ ÀÚü Á¦ÀÛ¿¡ µé¾î°¥ ¿¹Á¤À̸ç Á¦ÀÛ °øÁ¤Àº ÀÚ»çÀÇ 10nm±ÞÀ̶ó ºÎ¸£´Â ³ëµå¸¦ Àû¿ëÇÑ 18nm DRAM Á¦Á¶ ±â¼úÀ» Àû¿ëÇÏ¿© °æÀï ¾÷ü¿¡ µÚÁöÁö ¾Ê´Â´Ù´Â ÀÔÀåÀÌ´Ù.
ÀÌ¿¡ ´ëÇØ Á¶±Ý ÀÚ¼¼È÷ »ìÆ캸¸é ȸ·Î °øÁ¤ Á¤º¸´Â 10nm ~ 19nm ÆøÀ̸ç DRAM Àº18nm °øÁ¤ÀÎ °ÍÀ¸·Î È®ÀεƴÙ. ¾Æ¿ï·¯ ±Ý¹ø ¼Ò½ÄÀ» ÀüÇÑ Áß±¹ ¾÷ü¿¡¼± ÇÑ´Þ µ¿¾È ¾à 120,000 °³ÀÇ ¿þÀÌÆÛ¸¦ »ý»óÇÒ ¿¹Á¤À̸ç, ¿ÃÇØ ¸»±îÁö ù ¹ø° ĨÀ» °ø±ÞÇÒ °èȹÀ̶ó ¹àÇû´Ù.
ÇÑÆí »ï¼ºÀüÀÚ, SKÇÏÀ̴нº, ¸¶ÀÌÅ©·Ð °°Àº DRAM °æÀï»ç´Â 12nmºÎÅÍ 16nm¿¡ À̸£´Â °øÁ¤ ³ëµå¸¦ »ç¿ëÁßÀ̸ç, 3°³ÀÇ È¸»ç°¡ Àü¼¼°è DRAM ½ÃÀåÀÇ Â÷Áö ºñÀ²Àº °¢°¢ 42.7%, 29.9%, 23%·Î ¾à 95%ÀÌ»óÀ» Â÷ÁöÇÏ°í ÀÖ´Ù.
|