중국에서 내수 시장을 위한 자체 DRAM 양산에 들어간다는 정보가 전해졌다.
이번 소식에서 확인된 정보에 의하면 중국산 DRAM은 ChangXin Memory Technology에서 자체 제작에 들어갈 예정이며 제작 공정은 자사의 10nm급이라 부르는 노드를 적용한 18nm DRAM 제조 기술을 적용하여 경쟁 업체에 뒤지지 않는다는 입장이다.
이에 대해 조금 자세히 살펴보면 회로 공정 정보는 10nm ~ 19nm 폭이며 DRAM 은18nm 공정인 것으로 확인됐다. 아울러 금번 소식을 전한 중국 업체에선 한달 동안 약 120,000 개의 웨이퍼를 생상할 예정이며, 올해 말까지 첫 번째 칩을 공급할 계획이라 밝혔다.
한편 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 같은 DRAM 경쟁사는 12nm부터 16nm에 이르는 공정 노드를 사용중이며, 3개의 회사가 전세계 DRAM 시장의 차지 비율은 각각 42.7%, 29.9%, 23%로 약 95%이상을 차지하고 있다.
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[뉴스] 3분기 DRAM 최대 45%, 낸드 제품 최대 10% 가격 인상 전망 
