JEDEC에서 HBM4 메모리의 두께가 기존 규격보다 두꺼워질 것으로 보인다.
삼성, SK하이닉스, 마이크로닉스 등의 주요 메모리 제조사, AMD, 엔비디아, 인텔 등 핵심 시스템 반도체 기업들이 합의 중인 HBM4 메모리의 두께는 이전 세대와 동일한 720μm와 이보다 두꺼워진 775μm를 두고 논의가 이뤄지고 있었다.
최근 합의에서 JEDEC은 최종적으로 12단과 HBM4에서 더욱 높아진 16단 모두 두께 표준을 775μm(0.775mm)로 결정하였으며, 이는 기존 두께 유지가 한계에 달했다는 메모리 제조사들의 주장이 받아들여진 것으로 보인다.
지금까지의 HBM은 패키징시 레이어간 접합에 마이크로 범프를 이용하는 열압착(TC) 본딩 기술을 사용해 왔지만, 적층수가 더 확대된 HBM4에서는 기존 두께를 유지하기에는 무리가 있다는 의견이 많았다. 이에 대안으로 하이브리드 본딩이 주목받아 왔지만 비용과 높은 기술 난이도가 지적받아왔다. 이번에 HBM4 표준 두께가 기존보다 높아진 775μm로 정해지면서 기존 방식 유지 가능성이 커졌다.
한편, HBM4는 2026년 상용화가 예정되어 있으며, SK하이닉스는 2023년 12월 8단 HBM3 메모리에 하이브리드 본딩 적용 성공을 발표한 바 있다.
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