삼성전자가 11일 파운드리 업계 최초로 32나노 저전력 'HKMG(High-K Metal Gate)' 로직 공정을 개발했다고 밝혔다.
HKMG 기술을 신물질을 사용해 공정이 미새화 될수록 증가되는 누설전류를 효과적으로 줄이고 동작속도를 향상시킬 수 있는 최첨단 저전력 로직공정 기술로 파운드리 업계에서 32나노 공정에 HKMG 기술을 적용한 것은 삼성전자가 최초다.
이번에 개발된 32나노 HKMG 기술 공정은 기존 45나노 저전력 공정에 비해 누설전력을 55%, 소비전력도 30%감소시켰으며, ARM, Synopsys, Cadence 디자인 시스템, Mentor Graphics 등 IP, 설계 솔루션 파트너들과 협력을 통해 IP와 설계 프로세스 검증도 완료해 제품 개발에 즉시 활용할 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 미국 IBM 등 로직 기술 개발 파트너들과 공동연구를 기반으로 기존 45나노 공정 대비 집적도가 2배인 32나노 HKMG 기술을 개발했으며, 이를 바탕으로 파운드리 고객들에게 차별화되고 경쟁력있는 최신 반도체 제품을 공급할 수 있게 됐을 뿐만 아니라 차세대 전략 사업으로 육성 중인 파운드리 사업이 한 단계 도약할 수 있는 계기가 마련됐다고 설명했다.
삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 담당 우남성 부사장은 "32나노 HKMG 로직공정 개발은 파운드리 사업에서 기술 리더십을 확인하는 전략적인 이정표"라며, "삼성전자는 주요 기술 파트너들과 기술협력을 통해 모든 양산 준비를 마치고, 고객의 다양한 제품 설계를 적용한 제품 개발 단계에 있다"고 밝혔다.
한편, 시장조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 파운드리 시장은 2009년 200억불에서 2014년 422억불로 연평균 16%씩 성장해, 전체 반도체 시장 성장률 9%를 상회할 것으로 전망된다.
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