글로벌파운드리 (Globalfoundries)와 삼성전자는 28nm-LPH로 불리는 28nm HKMG (High-K Metal Gate) 기술을 기반으로 한 칩 생산에 협력하고 있다고 전했다.
글로벌파운드리와 삼성전자는 28nm 칩의 공동작업을 통해 28nm 기반 칩을 공동으로 고객들에게 제공하고 있다고 xbitlabs는 밝혔다.
28nm-LPH 공정은 모바일 장치들에 특화된 기술로 모바일 장치들에 적용될 것으로 알려져 있으며, 45nm LP (Low Power) SoC 디자인과 비교해 55% 이상의 성능 향상과 60%의 전력소모량을 개선할 수 있을 것으로 알려져 있다.
글로벌파운드리의 관계자는 이번 새로운 협력을 통해 제조 파트너십과 모바일 기술 혁신에 이바지할 수 있을 것으로 기대되며, 고객들이 원하는 대량 생산에 따른 시간 단축도 가능할 것으로 보고 있다. 2011년 상반기 32nm HKMG 양산을 바탕으로 양사의 협력은 파운드리 산업에 기여할 수 있을 것이라고 밝혔다.
삼성전자와 글로벌파운드리의 28nm 생산 협력으로 각사가 가진 2개의 300mm Fab의 기술을 이용할 수 있다. 글로벌파운드리는 독일 드레스덴 (Dresden)의 Fab 1과 뉴욕의 Fab 8, 삼성전자는 경기도 기흥에 위치한 삼성 S1, 그리고 최근 텍사스 오스틴에 확장한 S2 Fab이 있다. 이들 4개의 Fab에서는 양사의 협력을 바탕으로 고객들이 필요로하는 반도체 생산과 공급, 설계 비용 등을 개선할 수 있게 되었다.
2010년 글로벌파운드리와 삼성전자는 IBM과 STMicroelectronics와의 협력을 통해 28nm-LPH 기술을 개발했다. 이 기술은 표준 셀 라이브러리와 메모리 컴파일러, 복잡한 IP 블록 등의 디자인을 포함하고 있다. 고성능 스마트폰과 태블릿PC, 노트북 컴퓨터 등이 필요로하는 저전력에 고성능을 제공할 수 있을 것으로 기대되며, 저전력 트랜지스터와 메모리 등은 모바일 장치들의 전력을 크게 개선할 것으로 알려져 있다.
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