KAIST와 삼성전자가 협력해 기존 무선 충전장치보다 10배 이상의 출력을 갖춘 무선 충전 회로를 발표했다.
프로토 타입 칩
techon에 따르면 카이스트와 삼성전자의 협력으로 개발된 새로운 자기공명식 무선 충전 회로는 6.78MHz 주파수를 활용해 기존보다 10배 이상인 최대 6W 출력을 지원하며, 3.4W 출력에서 최대 전송 효율 86%를 달성한 것으로 소개되었다.
3R 회로 구성도
일반적인 자기공명식 무선 충전 회로는 정류 회로와 스텝 다운 컨버터 회로로 구성되며, KAIST와 삼성전자에서 개발한 새로운 회로는 원스탭 AC-DC 변환을 위해 'Resonant Regulating Rectifier(3R)'이라 불리는 스위칭 컨버터를 개발해 적용하였으며, 이를 통해 변환 과정에서 소비되는 전력 낭비를 줄이고 수신 회로 구성을 간략화 했다.
일반 회로와의 전력 효율 비교
3R은 풀 브릿지 정류기 회로와 세 개의 LD-MOSFETs으로 구성, 공명 코일의 인덕턱스를 활용해 별도의 인덕터가 필요없으며, 0.35μm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 사용해 칩의 크기는 5.52mm2 에 불과하다.
구글 넥서스4용 무선 충전기 오브
한편, KAIST와 삼성전자의 협력으로 개발된 새로운 무선 충전 기술은 샌프란시스코 현지 시간으로 2월 17일부터 21일까지 개최중인 International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)에서 발표되었으며, 무선 충전 기술을 도입중인 스마트폰에서 효율을 높이는데 활용될 것으로 기대된다.
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