TSMC에서 2013년 말 16nm FinFET 생산을 계획하고 있는 것과 관련해, 차기 공정 전환에 대한 정보가 공개되었다.
EETimes는 TSMC가 언론사들을 대상으로 개최한 미팅에서 2015년 하반기 EUV(extreme ultraviolet lithography)를 이용한 10nm 공정 칩 생산을 계획하고 있으며, EUV 공정의 대안으로 e-beam을 이용한 10nm 생산 역시 연구 중이라고 전했다.
이 자리에서 TSMC의 창업자이자 CEO인 모리스 창(Morris Chang)은 "우리는 약 7 ~ 8년 이상을 예측하고 있으며, 10nm는 물론 7nm 공정까지 발전할 수 있을 것이다."이라고 장래 계획을 언급하며, 일각에서 앞으로 무어의 법칙이 유지되기 어려울 것이라는 전망과 관련 "무어의 법칙은 앞으로도 지속될 것이며, 우리가 바로 거기 있을 것이다"라고 말해 공정 개선과 기술 개발을 위해 지속적으로 투자할 것임을 시사했다.
450mm 웨이퍼(좌) / 300mm 웨이퍼(우)
한편, TSMC는 올 2013년 9십억 달러 이상을 투자할 계획으로, 현재 28nm 공정에서 20nm와 16nm로의 전환은 예상보다 빠르게 이뤄질 것으로 예상되며, 현재와 같은 성장세가 지속된다면 2017년에는 매 월 1350만장의 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 전망했다.
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