인텔은 오는 6월 초 차세대 CPU인 하스웰 (Haswell)을 출시할 계획인 것으로 알려졌으며 출시가 다가옴에 따라 다양한 정보가 공개되고 있다.
하스웰은 CPU 성능이 10-15%, 내장 GPU는 20% 가량의 향상이 이루어질 것으로 예상되고 있으며 아이비브릿지 (Ivy Bridge)와 같이 내장 GPU 성능 향상이 더 크게 이루어지고 전력 효율도 개선될 것으로 알려졌다.
내장 GPU는 GT1/ GT2를 제공하던 아이비브릿지와 달리 GT3가 추가되며 GT3는 eDRAM (embedded DRAM)을 별도로 장착해 지포스 GT 650M급 성능을 내주는 GT3e가 추가되었다.
GT3는 기존보다 더 늘어난 40EU (Execution Units)를 탑재해 성능이 높아지며 eDRAM 장착 버전은 BGA 타입으로 메인보드에 온보드되고 주로 고성능 울트라북 및 올인원PC 등에 탑재될 것으로 알려졌다.
GT3e는 64MB 용량의 메모리를 탑재할 것으로 예상했으나 RealWorldTech는 최근 입수한 정보에 따르면 용량은 128MB이며 512bit 버스를 적용할 것이라고 전했다. 이 메모리는 L4 캐쉬로 알려졌고 CPU와 내장 GPU가 공유해 CPU와 내장 GPU의 성능을 향상하는데 기여할 것으로 예상된다.
탑재된 eDRAM은 대략 64GB/s의 대역폭을 제공하며 22nm 공정 적용한 하스웰 프로세서에서 3D 트랜지스터와 MIMCAP 패키지 적용, eDRAM이 차지하는 면적은 17.5Mbit/mm^2으로 ~60mm^2 다이 사이즈를 차지할 것으로 예상했다. 인터페이스 로직 등을 포함한 면적은 약 70-80mm^2가 될 것으로 보았다.
GT3에서 eDRAM이 탑재될 경우 추가되는 비용으로는 50달러 ($50) 가량으로 예상했고 이는 일반 버전대비 성능이 향상되면서 그만큼 제조 비용도 증가한 다는 것을 의미한다.
한편 인텔 하스웰 GT3e 내장 GPU처럼 AMD도 차세대 APU에서 시스템 메모리뿐만 아니라 GDDR5 메모리를 추가로 탑재할 수 있도록 할 것으로 알려져 내장 GPU의 성능 한계를 개선할 것으로 예상된다.
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