´ë¸¸ µðÁöŸÀÓÁî (Digitimes)´Â Áß±¹ ½º¸¶Æ®Æù Á¦Á¶»çÀÎ È¿þÀÌ (Huawei)°¡ TSMCÀÇ ½Å°øÁ¤ÀÎ 16nm FinFETÀÇ Ã¹ ¹øÂ° °í°´ÀÌ µÉ °ÍÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù.
ÃÖ±Ù ÁÖ¿ä ÆÄ¿îµå¸®»ç´Â 20nm °øÁ¤°ú 16nm FinFET, 10nm °øÁ¤ µî ¹Ì¼¼ÇÑ °øÁ¤ ±â¼ú °³¹ß¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡Çϰí ÀÖÀ¸¸ç ¸ð¹ÙÀÏ AP »ý»êÀÌ È°¹ßÇÑ TSMCµµ ÀÌ¿Í °°Àº ¹Ì¼¼°øÁ¤ °³¹ß°ú ¾ç»êÀ» À§ÇØ ³ë·ÂÇϰí ÀÖ´Ù.
16nm °øÁ¤À» óÀ½À¸·Î µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁø È¿þÀÌ´Â Àڻ簡 °³¹ßÇÑ ½º¸¶Æ®Æù¿ë ¸ð¹ÙÀÏ AP¿¡ Àû¿ëÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ¸ç ±× ½Ã±â´Â 2015³â Ãʰ¡ µÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù. È¿þÀÌ´Â Hass unicorn 920 ÇÁ·Î¼¼¼¿¡ TSMCÀÇ 28nm HPM °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇϰí ÀÖ´Ù.

È¿þÀÌ´Â ¿þÀÌÆÛ ÆÄ¿îµå¸® ÁÖ¹® ¿Ü¿¡µµ 16nm ĨÀ» À§ÇÑ CoWoS (Chip on Wafer on Substrate) ÆÐŰ¡ °øÁ¤ ÃÖÀûÈ¿¡µµ Çù·ÂÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
TSMC¿Í CoWoS ¼ºñ½º¸¦ ÁøÇàÇÏ´Â ¾÷ü´Â Xilinx°¡ À¯ÀÏÇߴµ¥ È¿þÀ̰¡ µÎ ¹øÂ° ¾÷ü°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù. ÀÌ ±â¼úÀº ÇÏÀÌ¿£µå ½ÃÀåÀ» À§ÇÑ ±â¼ú·Î °¡°ÝÀÌ ¸Å¿ì ³ôÀº °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. (CoWos´Â º»µù ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ ÀÌ¿ë µð¹ÙÀ̽º ½Ç¸®ÄÜ Ä¨À» ¿þÀÌÆÛ¿¡ ºÎÂøÇÏ´Â ÅëÇÕ ÇÁ·Î¼¼½º ±â¼ú, CoW ĨÀ» ±âÆÇ¿¡ ºÎÂøÇØ ÃÖÁ¾ÀûÀÎ ¼ÒÀÚ ºÎǰÀ» ¿Ï¼ºÇÑ´Ù. Á¦Á¶ ½Ã À¯¹ßµÇ´Â µÚƲ¸²À» ¹æÁöÇϸç TSMC´Â CoWoS¸¦ ÅÏŰ Á¦Á¶ ¼ºñ½º·Î Á¦°øÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.)
ÇÑÆí TSMC´Â 20nm °øÁ¤ ¾ç»ê, 16nm FinFETÀ» 2014³â 4ºÐ±â »ý»ê ¿¹Á¤, 16nm FinFET+ µµÀÔ µîÀÌ ¾Ë·ÁÁö°í ÀÖÀ¸¸ç 10nm °øÁ¤ °³¹ß¿¡µµ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡Çϰí ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
|