도시바와 SK하이닉스는 '나노 임프린트 리소그래피'(Nano Imprint Lithography, NIL) 기술을 공동 개발하기로 하는 최종 계약을 맺었다고 발표했다.
양사 엔지니어들은 올 4월 일본 요코하마에 위치한 도시바 요코하마 공장(Yokohama Complex)에서 2017년 상용화를 목표로 기초 기술 개발에 착수할 예정으로, 2017년 즈음에 실제 제품에 적용될 예정이다. 이번 발표는 양사가 2014년 12월 체결한 양해각서(MOU)에 기반한 것이다.
현재의 주류 공정 기술인 포토리소그래피는 반도체 웨이퍼 상의 감광 코팅에 레이저와 감광성 마스크를 사용해 회로를 형성하는 반면, 차세대 메모리 장치로의 전환을 앞당기기 위한 후보 기술 중 하나로 평가받는 NIL은 웨이퍼 위에 패턴화된 탬플릿을 찍음으로써 회로 설계를 직접 새겨 보다 정밀한 설계가 가능해지는 동시에 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능한 것으로 평가받고 있따.
도시바는 다수 장비 및 소재 기업과 NIL 개발에 협력하며 협력사의 기술과 도시바의 반도체 제조 공정을 통합해 왔다. 새로 발표된 SK하이닉스와의 공동 개발 프로그램은 상용화 과정에 속도를 붙이는 한편 도시바의 NIL 개발 투자 부담을 덜어줄 전망이다.
한편 도시바와 SK하이닉스는 2007년 특허 상호 라이선스 계약을 체결, 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행하는 등 상호협력 관계를 이어오고 있으며, 이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술 확보를 통해 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대를 나타냈다.
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