SK하이닉스 (SK Hynix)가 1세대 HBM (High Bandwidth Memory)을 양산 중이라는 소식이다.
SK하이닉스가 양산을 발표한 HBM은 1세대로 제조 공정은 20nm를 이용한다. 1세대 HBM은 4Hi 스택으로 구성되며 칩당 1GB와 128Gb/s 대역폭을 구현한다.
AMD 차세대 라데온 R9 퓨리 (Radeon R9 Fury) 시리즈에 탑재되는 HBM은 GDDR5가 칩당 28GB/s의 대역폭을 제공하는데 반해 128GB/s로 향상했으며 소비전력도 50% 낮출 수 있는 것으로 알려졌다.
2016년에는 2세대 HBM (HBM2)가 등장할 예정이며 4Hi 외에도 8Hi로 적층이 가능해 용량은 2배, 대역폭도 256Gb/s로 늘어날 예정이다. 엔비디아 (NVIDIA)는 파스칼 (Pascal)에 HBM2를 이용할 것으로 알려진 바 있다.
HBM은 라데온 R9 퓨리 시리즈를 통해 그래픽카드에 탑재가 알려졌지만 그래픽 메모리 외에도 DRAM, 낸드 (NAND), SSD 등에도 적용 가능한 차세대 메모리다.
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[뉴스] SK하이닉스, 2029년 이후 HBM5과 PCIe 7.0 SSD 계획 
