삼성전자에서 2세대 HBM 양산 계획을 밝혔다.
AMD의 라데온 R9 퓨리 X를 통해 일반 소비자에게 모습을 드러낸 HBM은 차후 AMD의 그래픽 카드는 물론 NVIDIA의 코드네임 파스칼 GPU에도 탑재될 예정으로, HBM은 인터포저를 통해 메모리와 GPU를 연결한 2.5D 구조로, 일반적으로 쓰이는 GDDR5 메모리와 비교해 PCB 면적과 성능 및 발열, 소비전력 등 전반적으로 대폭 개선된 제품이다.
AMD 라데온 R9 퓨리 시리즈에 사용된 HBM은 1세대 모델로 SK하이닉스 생산품으로 알려져있는데, 삼성전자는 1세대 HBM을 건너뛰고 2016년부터 바로 2세대 모델의 양산을 시작할 것이라고 IDF에서 밝혔다.
1세대 HBM과 비교해 2세대 HBM은 DRAM 다이(die) 당 용량은 네 배로 늘고, 총 스택 역시 4개에서 8개로 늘어 최대 8GB 용량 구성이 가능하다. 또한 핀당 대역폭이 두 배로 늘어 스택당 대역폭은 128GB/s에서 256GB/s로 확대되어 전반적인 성능 향상을 기대할 수 있는데, 삼성전자는 현재 2Hi 스택과 4Hi 스택, 8Hi 스택 메모리의 샘플 작업을 진행 중이다.
한편, 삼성전자는 HBM의 용도에 대해 2016년에는 그래픽 카드와 HPC, 2017년에는 네트워크 분야로 확대되고, 이후 새로운 분야로 활용폭을 확대해갈 계획임을 전했다.
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