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전송 2019-11-04 10:50
[뉴스]

TSMC, 3nm 이상 미세공정 연구개발 인력 8천명 추가 고용 계획

TSMC에서 3nm 이상의 공정 미세화 가속을 위해 약 8천명 수준의 R&D 인력을 충원한다.

tomshardware에 따르면 TSMC는 2020년 말까지 대만 북부에 위치한 신규 R&D 센터에 근무할 신규 인력을 고용할 계획이라는 내용을 전했다.

해당 연구소는 3nm 이상의 공정 미세화 개발 진행을 위해 2020년 초 건설을 시작해 같은해 말 완공될 예정이며, 2018년 말 약 4만 9천명 규모의 인력을 채용 중인 TSMC가 추가 고용할 8천명은 기존 인력의 약  16%에 달한다.

한편, TSMC는 최근 3분기 R&D에 전년 동기보다 약 10% 증가한 비용을 투입했으며, 2023년 완공을 목표로 195억 달러를 투입해 3nm 공정 생산을 위한 팹 건설을 시작했다.

  태그(Tag)  : 파운드리, TSMC
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  이상호 기자 / 필명 이오니카 / 이오니카님에게 문의하기 ghostlee@bodnara.co.kr
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2014년부터 어려운 이야기를 쉽게 하는 것으로 편집방침을 바꿉니다.
암드렛츠고 / 19-11-05 12:31/ 자국/ 신고/ 이댓글에댓글달기
삼성 파운드리는 GAA를 3나노 공정부터 적용한다고 하는데, TSMC는 3나노 공정에도 FinFET을 계속 쓰려나... 지금 7나노 공정은 TSMC의 경우 EUV(극자외선)가 아닌 ArF(불화아르곤)를 계속 써서 생산하는 걸로 알고 있는데, 점유율 높은 회사라 그런지 새로운 생산방식보다는 보수적인 검증된 방식을 선호하는 듯. 당장은 좋겠지만 장사 하루이틀 할 것도 아닌지라... 앞으로도 박터지게 경쟁하기를.
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