삼성전자가 최신 DDR5 DRAM 모듈의 성능을 극대화 및 전력 사용 최소화를 위한 전력관리반도체(PMIC, Power Management IC) 3종을 발표했다.
삼성전자는 2010년 전력관리반도체 분야에 처음 진출한 이후 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품과 PC, 게임기, 무선 이어폰에 탑재되는 전력관리반도체를 출시 중이며, 이번에 발표된 전력관리반도체 3종(S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01)은 DDR5 DRAM 모듈에 탑재돼 DRAM의 성능 향상과 함께 동작 전력을 감소시키데 활용하는 것이 목적이다.
전력관리반도체를 외부 기판에 탑재하던 DDR4 DRAM와 달리, 최신 DDR5 DRAM부터는 전력관리반도체를 DRAM 모듈 기판에 직접 탑재한다. 전력관리반도체와 DRAM이 하나의 모듈에 위치하기 때문에 전원을 안정적이고 빠르게 공급할 수 있어 메모리 성능 향상과 동시에 오작동을 최소화할 수 있다.
삼성전자가 발표한 전력관리반도체는 자체 설계 기술인 '비동기식 2상 전압 강하 제어 회로(Asynchronous based dual phase buck control scheme)'를 적용해 전압 변화를 실시간으로 감지하고 출력 전압을 일정하게 유지, 기존에 같은 목적으로 탑재해온 적층세라믹콘덴서(MLCC)의 사용량도 줄일 수 있어 DRAM 모듈 설계 편의성도 높아진다.
삼성전자는 엔터프라이즈용 전력관리반도체(S2FPD01, S2FPD02)에 출력 전압을 효율적으로 조정하는 자체 설계 방식인 하이브리드 게이트 드라이버(Hybrid Gate Driver)를 적용해 전력효율을 업계 표준보다 1% 포인트 높은 91%까지 향상시켰고, 데스크탑, 랩탑 등 클라이언트용 DDR5 DRAM 모듈에 탑재되는 전력관리반도체(S2FPC01)에는 저전력 90nm 공정을 적용해 칩 면적을 줄였다.
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