삼성전자가 12나노급 공정의 16Gb(기가비트) DDR5 D램 양산을 시작했다.
삼성전자는 보도자료를 통해 5세대 10나노급 공정을 의미하는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다고 밝혔다.
작년 12월에 개발 및 AMD 플랫폼 호환성 검증을 마쳤던 삼성전자 12나노급 D램은 유전율(K)이 높은 신소재를 적용하여 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계를 통해 업계 최선단 공정을 완성했다.
캐패시터가 용량이 커지면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워지므로 오류 발생을 막을 수 있으며, 여기에 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.
또 멀티레이어 EUV 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발되어 이전 세대 제품 대비 생산성은 약 20% 향상됐으며, 소비 전력은 약 23% 개선되어 친환경 저전력 추세로 가고 있는 글로벌 IT 기업들에게 적합한 솔루션이다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원해 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도를 갖췄다.
삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며, “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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