SK하이닉스가 '321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행중이라고 공식화했다.
SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023'에서 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.
업체에 따르면 메모리 업계서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 자신들이 처음이며, 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산해 300단대 낸드 시대를 주도하겠다는 포부를 밝혔다.
이전 세대인 238단 512Gb 낸드 대비 321단 1Tb TLC 낸드는 생산성이 59% 개선되어 챗(Chat)GPT가 촉발한 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요에 대응할 것으로 기대를 나타냈다.
SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0도 소개, 진일보한 회사의 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지도 피력했다.
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