인텔이 45nm 공정의 프로세서 펜린 제품 중 최초로 선보인 다섯 개의 초기 버전 제품이 제대로 작동 중이라고 발표했다.
인텔은 근본적인 트랜지스터 디자인과 관련된 가장 큰 성과 중 하나로 자사의 45nm 트랜지스터의 단열벽 및 스위칭 게이트를 구축하는데 2가지 신소재를 사용하고 있아도 공개했다. 이 트랜지스터의 기능 덕분에 인텔은 전기 누출량은 감소시키면서 기록적인 속도를 구현하는 데스크탑, 노트북 및 서버 프로세서를 개발할 수 있게 되었으며, 트랜지스터 숫자가 2년마다 2배로 증가한다는 무어의 법칙을 향후 10년 동안 계속 적용 가능하게 되었다고 언급했다.
하이케이 및 메탈 게이트가 적용된 인텔의 45nm 트랜지스터는 업계에서 현재 사용되던 실리콘 다이옥사이드 게이트 절연체를 전류 누출이 10배나 적은 하프늄(hafnium) 기반의 하이케이 소재로 교체했으며, 하이케이 절연체와 호환되지 않는 실리콘 게이트 전극을 새로운 메탈 게이트 소재를 통해서 사용하여 드라이브 전류량을 20% 이상 증가시키거나 트랜지스터 성능을 더욱 강화시켰다.
45nm 공정 기술은 트랜지스터 집적도도 이전 세대보다 약 2배 정도 향상시키기 때문에 전체 트랜지스터 수를 증가시키거나 프로세서 크기를 축소시킬 수 있다. 45nm 트랜지스터들은 이전 세대보다 크기가 작기 때문에 스위치를 켜고 끄는데 더 적은 에너지를 소비하여 스위칭 파워를 약 30%까지 절감시킨다. 인텔은 자사의 45nm 인터커넥트(interconnect)의 성능 증진 및 전력 소모량 감소를 위해 로케이(low-k) 절연체가 탑재된 동선을 사용할 것이다. 또한, 가격 우위 및 높은 제조가능성을 제공하는 193나노 드라이 리소그래피(dry lithography)를 45nm 프로세서 제조에까지 확대, 적용하기 위해 혁신적인 디자인 규칙과 고급 마스크(mask) 기법도 사용하게 된다.
펜린(Penryn) 프로세서 제푼군은 인텔 코어 마이크로아키텍쳐의 파생물이자 새로운 공정 기술 및 새로운 마이크로아키텍쳐를 2년 마다 제공하려는 인텔의 급속한 기술 발전의 다음 단계에 해당한다. 선도적인 45nm 공정 기술, 대량 제조 능력, 주요 마이크로아키텍쳐 디자인의 결합을 통해 인텔은 데스크탑, 모바일, 워크스테이션 및 엔터프라이즈 시장 전반에 해당하는 15개 이상의 45nm 기반 제품을 개발 중이며, 듀얼 코어 프로세서에는 4억 개, 쿼드 코어 프로세서에는 8억 개 이상의 트랜지스터가 탑재될 예정이다.
펜린은 우수한 성능 및 전력 관리 능력 뿐만 아니라 코어의 속도 향상 및 최대 12MB의 캐시를 구현하기 위한 새로운 마이크로아키텍쳐 기능들이 내장된다. 펜린 제품군 디자인은 미디어 애플리케이션 및 고성능 컴퓨팅 애플리케이션에 적합하도록 기능과 성능을 강화시키는 약 50개의 새로운 인텔 SSE4 명령어를 실행한다.
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