글로벌파운드리와 삼성전자는 진보된 32nm High-K 기술 적용에 문제가 없다는 입장을 밝혔다는 소식이다.
xbitlabs는 IBM Fab Club으로 불리는 글로벌파운드리 (GlobalFoundries)와 삼성전자가 Gate-First 32nm와 28nm 공정 기술 적용에 큰 문제없는 입장을 밝혔다는 소식을 전했다.
글로벌파운드리와 삼성전자 두 회사는 Financial Analyst에 AMD가 밝혔던 미세 공정 문제로 이를 적용할 칩의 연기에 대한 내용을 부인했다. AMD는 x86 코어와 DX11 내장 그래픽코어가 통합된 데스크탑용 퓨전 (Fusion) 코드명 라노 (Llano) 프로세서는 32nm SOI 공정을 적용할 것으로 알려졌지만, 공정 적용 문제로 연기되어 2011년 중반으로 출시시기가 늦춰진 것으로 알려지고 있다.
Barclays Bank의 분석가인 Andrew Lu는 최근 High-K Metal Gate Gate-First 기술 적용에는 pMOS (Positive Type Metal Oxide Semiconductor) 전기 산화물 층의 두께 등의 문제로 인해 열적 불안정과 전압 이동의 한계, 그리고 다시 높아진 게이트 스택 등과 같은 문제들이 제기되고 있는 것으로 알려지고 있다고 언급해 32/ 28nm 미세공정의 어려움에 대해 언급했다.
글로벌파운드리는 일부 Gate-First High-K Metal Gate 미스컨셉이 발생하고 있고 Gate-Last 접근과 비교하여 Gate-First 접근은 VT 안정성 문제와 성능 문제 등이 제기되고 있다 언급했다. 그러나, 32nm High-K Metal Gate 기술은 Fab1에서 적용이 진행되고 있고 파운드리 산업 전반에서 리더십을 이어갈 것이라고 전했다. 글로벌파운드리는 현재 28nm 기술을 새로운 칩 디자인에 적용시키려고 노력하고 있으며, 다수의 디자인들은 이미 실리콘 인증을 마쳤다고 밝혔다. 또한, 더 많은 프로토타입 테스트 칩들이 Fab1을 통해 테스트되어 올해 말 초기 제품이 등장할 것으로 예상된다고 언급했다.
삼성전자는 6월 초 32nm Low Power High-K Metal Gate를 적용할 자격을 갖추게 되었다고 발표했고 1000 시간의 HTOL (High Temp Operating Life)의 테스트 등을 통해 미세공정 적용에서 제기된 문제들을 발견하지 못했다고 밝혀 미세공정 도입이 순조롭게 진행되고 있다는 입장을 전했다.
IBM Fab Club과 글로벌파운드리와 대조적으로 TSMC와 인텔은 Gate-Last 접급 방법을 이용하고 있으며, 2세대 HKMG 기반 제품을 선적하고 있다.
미세공정 도입은 많은 비용 투자와 어려움이 있는 만큼 많은 시행착오도 필요하다. 글로벌파운드리와 삼성전자 등의 파운드리 제조사들의 주장대로 32/ 28nm 미세공정 적용이 순조롭게 진행된다면 앞으로 이들 미세공정을 이용하는 CPU나 GPU 제조사들은 자사의 제품들에 최적화된 공정을 바탕으로 경쟁력있는 제품들을 공개할 수 있을 것으로 예상된다. 반대라면 40nm 공정 적용의 예에서 보여지듯이 제품 등장시기나 가격 등에 영향을 미치게될 것이다.
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