ºê·ÎµåÄÄ Henry Samueli CTO´Â IEDM (International Electron Devices) ±¹Á¦ ÄÁÆÛ·±½º¸¦ ÅëÇØ ÃÖ±ÙÀÇ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ±â¼ú¿¡ ´ëÇØ ¹àÇû´Ù.
¹ÝµµÃ¼ ¾÷°è´Â Áö³ 30³â µ¿¾È ¹«¾îÀÇ ¹ýÄ¢ (Moore's Law)¿¡ ±Ù°ÅÇØ °øÁ¤ ±â¼úÀ» ¾÷±×·¹À̵å ÇØ¿ÔÀ¸³ª 15³â ÀÌ»óÀÌ Áö³ ÇöÀç´Â ´õ ÀÌ»ó ÀÌ ¹ýÄ¢ÀÌ Àû¿ëµÇ±â ¾î·Á¿ï °ÍÀ¸·Î º¸¾ÒÀ¸¸ç ÇöÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀÇ ¹°¸®ÀûÀÎ ÇÑ°è´Â 5nm °øÁ¤¿¡ À̸£¸é ÇÑ°è¿¡ µµ´ÞÇÒ °ÍÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù.
¶ÇÇÑ ±×´Â ÇöÀç ´Ù¾çÇÑ Ä¨¼Â¿¡ Àû¿ëÇÏ´Â 28nm °øÁ¤ ÀÌÈĺÎÅÍ´Â Á¦Á¶¿¡ µû¸¥ ºñ¿ë Ãø¸éÀÇ ÇýÅÃÀÌ ÀûÀ» °ÍÀ̶ó°í ¹àÇû´Ù. ÀÌ´Â 28nm °øÁ¤ ÀÌÈÄ¿¡µµ ĨÀÇ ¼º´É Çâ»ó°ú Àü·Â °¨¼Ò´Â Áö¼ÓµÉ °ÍÀÌÁö¸¸ 28nm ÀÌÈÄÀÇ ¹Ì¼¼°øÁ¤Àº Á¦Á¶ ¿ø°¡ Áï, »ý»ê ºñ¿ëÀÌ ³ô¾ÆÁ® ±âÁ¸ °øÁ¤º¸´Ù ´Ã¾î³¯ °ÍÀ̶ó´Â Á¡À» ÀǹÌÇØ »õ·Î¿î ÇعýÀÌ ÇÊ¿äÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù.
ºê·ÎµåÄÄÀº XLP ¸ÖƼÄÚ¾î ARM ÇÁ·Î¼¼¼ ¾ÆÅ°ÅØó¸¦ ÀÌÀü¿¡ °ø°³ÇÑ ¹Ù Àִµ¥ ¿©±â¿¡´Â 20nm °øÁ¤À» °Ç³Ê¶Ù°í 16nm FinFET Æ®·£Áö½ºÅÍ °øÁ¤ ±â¼úÀ» Àû¿ëÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
ÇöÀç ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀº 10nm ¶Ç´Â ¾à°£ ³·Àº ¹Ì¼¼°øÁ¤ Àû¿ëÀÌ ÇÑ°è°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³À¸¸ç ÀÎÅÚÀº 2017³â 7nm °øÁ¤ µµÀÔÀ» ½ÃÀÛÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù. ±×·¯³ª Samueli´Â 7nm °øÁ¤ ±â¼ú ÀÌÈÄ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤Àº ¹°¸®Àû ÇÑ°è¿¡ µµ´ÞÇÒ °ÍÀ̸ç 5nm °øÁ¤Àº ¿øÀÚ 10°³ Æ®·£Áö½ºÅÍ Å©±â·Î ¹°¸®Àû ÇÑ°è¿¡ °¡±õ´Ù°í ÀüÇß´Ù.
ÇÑÆí IEDM ÄÁÆÛ·±½º¿¡¼´Â CMOS¸¦ ´ëüÇÒ »õ·Î¿î ±â¼ú°ú ¿øÀÚ Å©±âº¸´Ù ¾ãÀº ÃÖ´ë 1000GHz ÁÖÆļö ±×·¡ÇÉ (Graphiene, ź¼Ò ¿øÀÚ°¡ À°°¢ ¹úÁý ¸ð¾ç ÇüÅ·Π¿¬°áµÈ 2Â÷¿ø Æò¸é ±¸Á¶ ¹°Áú·Î ²ÞÀÇ ½Å¼ÒÀç·Î ºÒ¸°´Ù. Àü±â Àüµµ¼ºÀÌ ¹ÝµµÃ¼¿¡ »ç¿ëÇÏ´Â ½Ç¸®Äܺ¸´Ù 100¹è ÀÌ»ó ºü¸£¸ç ¿ÜºÎ Àü·Â °ø±Þ ¾øÀÌ Èְųª ´©¸£°Å³ª Áøµ¿À» ÁÖ¸é ½º½º·Î Àü·ÂÀÌ ¹ß»ýÇØ ÈÖ´Â µð½ºÇ÷¹À̱â±âÀÇ Àü·Â ¹®Á¦¸¦ ÇØ°á °¡´ÉÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.) Æ®·£Áö½ºÅÍ Á¦Á¶ ±â¼ú µîÀ» °ø°³ÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. »ï¼ºÀüÀÚ¿Í IBMÀº À¯»çÇÑ ¿¬±¸¸¦ ÁøÇà ÁßÀ̳ª ÀÌµé ±â¼úÀÇ ¾ç»ê±îÁö´Â ¾ÆÁ÷µµ °Å¸®°¡ ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
|