TSMC와 삼성전자가 시장에서 진보된 공정 경쟁을 진행 중이며 이들은 16nm FinFET과 14nm 공정을 개선한 진보된 공정 개발을 통해 경쟁할 것으로 알려졌다.
디지타임즈 (Digitimes)는 TSMC는 16nm FinFET+로 알려진 공정, 삼성전자는 진보된 14nm LPP (Low Power Plus) 공정을 도입해 파운드리 시장에서 경쟁할 것이라고 전했다.
TSMC는 16nm FinFET을 2014년 말부터 양산을 시작할 준비를 진행 중인데 이미 업그레이드 버전인 16nm FinFET+ (16nm FinFET Plus) 기술도 공개하기 시작했다. TSMC는 머지 않은 미래에 업그레이드 버전의 이전을 완료할 계획으로 알려졌다. 그러나 고객들은 구 버전을 이용한 디자인 개발에 들어가 16nm FinFET의 양산은 스케쥴보다 앞당겨질 가능성도 있다고 언급했다.
삼성전자와 인텔, 글로벌파운드리 (Globalfoundries)는 14nm 공정을 개발 중이며 인텔은 브로드웰 (Broadwell) 프로세서에 도입 예정이며 이를 통해 장치 성능을 기존보다 개선할 것으로 알려졌다. 삼성전자와 글로벌파운드리는 협력을 통해 14nm 공정 개발을 가속할 것으로 알려졌다. 대신 TSMC는 16nm FinFET 공정이 비용면에서 유리할 것으로 예상했다.
TSMC와 삼성전자 양사는 또한 14nm LPP 공정의 출시에 박차를 가하고 있으며 14nm LPE (Low Power Early) 공정의 양산도 조만간 시작할 것이라고 전했다. 14nm FinFET LPP 공정은 14nm LPE 기술 대비 전체 성능과 전력 소모를 개선할 것으로 알려졌다.
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