삼성전자는 ISSCC 컨퍼런스를 통해 14nm FinFET을 이어갈 10nm FinFET 기술을 개발 중임을 밝혔다.
소식을 전한 expreview에 따르면 삼성전자는 14nm FinFET을 이어 앞으로의 차세대 프로세서에 적용될 것으로 알려진 10nm FinFET 공정 기술 역시 개발 중에 있다고 전했다.
삼성전자는 14nm FinFET 공정 기술을 개발해 애플 (Apple)과 퀄컴 (Qualcomm)을 비롯한 주요 모바일AP 제조사들이 이를 이용할 것으로 알려졌다. 특히 삼성의 차세대 스마트폰 갤럭시 S6 (Galaxy S6)에는 14nm 공정 기반의 엑시노스 7420 (Exynos 7420)이 탑재될 것으로 예상된다.
이에 이어 삼성전자는 ISSCC 컨퍼런스를 통해 지난해 말 14nm FinFET 공정 양산에 이어 미세공정 10nm FinFET 개발을 시작했다고 발표했다. 적용 시기 등은 구체적으로 알려지지 않았으나 2016년 말에서 2017년 사이 등장 가능할 것으로 예상되며 인텔이 10nm 3D 트랜지스터 기술을 적용할 것으로 알려진 시기와 유사하다.
현재 10nm 공정 이후 등장할 7nm와 5nm 공정은 트랜지스터가 매우 얇아지는데 삼성전자는 7nm 이후 공정에서는 인듐 갈륨 비화물 등을 이용한 GAA FinFET (gate-all-around, all-ring gate) 기술을 도입할 것이라고 전했다.
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