TSMC는 16nm FinFET 기술에 이어 보다 미세화된 공정도 계획하고 있는 가운데 10nm 공정 기술에 대한 소식이 전해졌다.
소식을 전한 fudzilla는 TSMC를 인용해 6월 대만 센트럴 파크에 12인치 웨이퍼를 생산할 새로운 Fab의 착공을 시작할 것으로 알려졌으며 이 새로운 Fab에서 10nm 공정 기술을 기반으로 하는 제품을 생산할 것으로 보인다고 전했다.
그에 따르면 TSMC는 10nm 공정 기술을 개발 중이며 새로 건설될 Fab인 Fab 15를 통해 10nm 공정을 적용하고 이를 통해 양산도 들어갈 것으로 알려졌다. 10nm 공정 기술 적용과 양산 시기로는 2016년 중반부터 가능할 것으로 전망했다.
TSMC는 이전 스케쥴에서 10nm 공정 기술로의 이전과 양산 시기로 2016년 말 또는 2017년을 예상했는데 계획이 순조롭게 진행된다면 이보다 조금 앞서 진행이 가능할 것으로 예상된다. 10nm 공정 기술은 모바일 애플리케이션 프로세서와 베이스 밴드, 서버, 그래픽 프로세서 (GPU), 네트웍 및 게이밍 시스템 등 다양한 분야의 생산이 가능할 것으로 알려졌다.
현재 TSMC가 16nm FinFET 공정의 안정화와 양산을 준비하고 있는데 반해 경쟁사인 삼성전자는 14nm FinFET 기반의 생산이 가능해지면서 애플 (Apple)의 A9 프로세서나 퀄컴의 차기 프로세서인 스냅드래곤 820 생산 가능성이 제기되면서 미세공정 경쟁에서 한발 밀려났다. 미세공정 도입에는 천문학적인 비용과 기술적인 어려움이 따르는 만큼 이번 TSMC의 10nm 공정 기술 도입과 양산이 경쟁력 회복에 도움이 될 것인지는 더 지켜봐야 할 것이다.
한편 TSMC는 16nm FinFET 기술 기반의 양산을 올해 3분기, 4분기부터 판매를 시작할 것으로 알려진 바 있다.
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