삼성전자는 최근 14nm FinFET 공정을 이용해 자사의 모바일AP 생산과 파트너사의 제품군 생산을 진행하거나 계획하고 있는 것으로 알려진 가운데 보다 미세한 10nm FinFET 공정 계획에 대한 소식이 전해졌다.
소식을 전한 mydrivers는 삼성이 14nm FinFET 후속으로 10nm FinFET을 개발 중이며 양산은 2016년 말 계획하고 있다고 전했다.
삼성이 개발 중인 10nm FinFET 공정은 이전 세대 대비 전력 효율과 차지하는 면적, 성능 모두 개선될 것으로 소개했다.
경쟁사인 TSMC 역시 새로운 공정을 개발 중인데 삼성의 10nm 양산이 예상되는 2016년 말 10nm FinFET 양산에 들어갈 것이라고 언급한 바 있어 양사의 미세공정 경쟁이 본격화될 것으로 예상된다.
애플은 삼성이 10nm 공정으로 이전하는데 주도적인 역할을 한 것으로 알려졌는데 애플은 한달에 4만장의 웨이퍼를 필요로 한다.
아이폰6S (iPhone 6S)나 차세대 아이폰7 (iPhone 7)의 등장이 이어지면서 더 늘어날 전망이다. 이들은 삼성의 14nm FinFET 공정 기반의 A9으로 알려진 새로운 프로세서를 탑재할 예정이다.
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