삼성전자가 7nm 공정이 포함된 파운드리 로드맵을 업데이트 했다.
삼성전자는 미국에서 열린 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum, SFF) 2018'에서 3nm(나노미터)까지 포함시킨 공정 기술 로드맵 업데이트를 발표했다.
이번에 업데이트 된 삼성전자 공정 기술 로드맵은 아래와 같다.
7LPP (7nm Low Power Plus)
EUV 리소그래피 솔루션을 사용하는 최초의 반도체 공정 기술인 7LPP는 올해 하반기에 생산을 시작할 예정이며, 핵심 IP는 2019년 상반기에 완공을 목표로 개발 중이다.
5LPE (5nm Low Power Early)
7LPP 공정의 더욱 현명한 혁신을 통해 5LPE는 면적 확장 및 초저전력 이점을 제공한다.
4LPE/4LPP (4nm Low Power Early/Plus)
고도로 성숙되고 검증된 FinFET 기술이 4nm 공정까지 확대될 것이다. FinFET의 마지막 세대인 4nm는 셀 크기를 줄이고, 성능을 개선시키며, 검증된 5LPE를 채택함으로써 빠른 램프 업과 안정적을 수율을 제공하며, 쉬운 마이그레이션을 지원한다.
3GAAE/GAPP (3nm Gate All-Around Early/Plus)
3nm 공정 노드는 차세대 장치 아키텍처인 GAA (Gate All-Around)를 채택한다. FinFET 아키텍처의 물리적인 스케일링 및 성능 제한을 극복하기 위해 삼성전자는 나노 시트 디바이스를 사용하는 고유한 GAA 기술인 MBCFETTM (Multi-Bridge-Channel FET)를 개발하고 있다. 게이트 제어를 강화함으로써 3nm 노드의 성능이 크게 개선될 것이다.
파운드리 로드맵 외에도 삼성전자는 최신 하이퍼스케일 데이터 센터를 구동하고 인공지능(AI) 및 기계 학습(ML)의 성장을 가속화하기 위한 HPC (High-Performance Computing) 솔루션을 제공한다고 밝혔다. 최신 7LPP 기술보다 EUV 기능까지 혁신적인 2.5D/3D 이기종 패키징 위에 100Gbps + SerDes와 같은 차별화된 고속 IP에 이르기까지 총체적 플랫폼 솔루션을 제공한다.
또한 저전력 마이크로컨트롤러 유닛(MCU)와 차세대 연결 장치(Connected Devices)에서부터 5G 및 차량용 V2X 통신을 기반으로 하는 자율 주행차에 이르기까지 강력한 제품을 구현할 수 있는 턴키 플랫폼을 제공한다고 말했다. eMRAM 및 RF 기능을 갖춘 28/18 FD-SOI에서부터 첨단 10/8nm FinFET 공정에 이르는 광범위한 기술 포트폴리오로 연결 장치에 대한 뛰어난 최종 사용자 경험을 가능케 한다.
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