삼성전자가 1억 4,400만 화소 이미지 센서를 개발 중이라이는 소식이 전해졌다.
삼성전자는 올해 샤오미와 협력해 1억 800만 화소(108MP) 스마트폰 카메라용 모바일 이미지 센서 '아이소셀 브라이트 HMX (ISOCELL Bright HMX)'를 공동 발표하고, 샤오미가 이를 탑재한 Mi Note 10 Pro(중국 모델명 Mi CC9 Pro)를 출시한 바 있다.
그런데 지난 주 개최된 IEDM(International Electron Devices Meeting) 2019에서 삼성전자가 14nm FinFET 공정을 사용하는 1억 4,400만 화소(144MP) 센서 기술을 발표한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 1억 화소 이상의 밀도 및 초저전력 3D 스택 CMOS 이미지 센서를 위한 14nm FinFET 공정 기술 플랫폼이라는 주제로 이미지 센서를 위한 14nm FinFET 기술과 기존의 28nm 평면(Planar) 공정 대비 향상되는 점 등을 소개했다.
14nm FinFET 공정을 쓰는 CMOS 이미지 센서(CIS)는 모바일 프로세서 칩셋(SoC)과 달리 CIS 아날로그 및 센서 작동을 위해 2.xV 고전압 FinFET 장치 특성을 제공해야 한다고 나온다.
또한 같은 1,200만 화소(12MP) 센서를 기준으로 했을 때 14nm FinFET 공정이 28nm 평면 공정 대비 디지털에서 37%, 아날로그에서 18% 소비 전력 절감이 이뤄지는 것으로 밝혔다. 여기에 1억 4,400만 화소에서는 10fps 캡쳐 모드로 동작할 때 디지털 로직에서 42%, 아날로그 회로에서 21%의 소비전력 절감이 가능한 것으로 계산했다.
물론 이는 이미지 센서용 14nm FinFET 공정 기술을 소개하기 위해 144MP를 시뮬레이션 한 것으로 나오지만, 이미 108MP 센서를 양산하고 있는 삼성전자가 144MP 센서도 충분히 내놓을 수 있을 것으로 보인다.
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