웨스턴 디지탈(Western Digital, 이하 WD)과 키오시아(Kioxia)가 6세대 3D 플래시 메모리를 발표했다.
양사는 도시바 메모리 시절부터 합작 파트너십을 체결해 낸드 플래시를 생산하고 있는데, 이번에 6세대 162단(162 layers) 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표한 것이다.
6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8단계 메모리 홀 어레이(eight-stagger memory hole array)를 넘어선 고급 아키텍처를 특징으로 하며, 5세대 기술에 비해 측면 셀 어레이 밀도가 최대 10% 향상됐다. 162단 적층형 수직 메모리 레이어와 결합된 이러한 측면 확장 기능은 기존 112단 적층 기술에 비해 다이 크기를 40% 줄여 비용을 최적화한다.
키오시아와 WD 팀은 또한 메모리 셀 작동을 관장하는 로직 회로를 메모리 셀 아래로 놓는 'Circuit Under Array CMOS' 배치 및 4면 작동을 적용해 이전 세대에 비해 프로그램 성능이 거의 2.4배 향상되고 읽기 지연 시간이 10% 향상됐다고 설명했다. I/O 성능도 66% 향상되어 더욱 빠른 전송 속도를 요구하는 차세대 인터페이스에 대응할 수 있다.
그 밖에 전반적으로 새로운 3D 플래시 메모리 기술은 비트당 비용을 줄이고 웨이퍼당 제조된 비트를 이전 세대에 비해 70%까지 증가시킬 수 있다고 언급했다.
|
[영상] RTX50 4분기출시/SSD 추가 인상설/인텔 아크 무관심/PCIe 7.0 발표,그리고 스냅드래곤X엘리트 
