ARAM과 TSMC는 16nm FinFET 공정 기반 테스트 칩의 테입아웃 (Tape-Out, 회로가 최종적으로 정상 작동하는 것을 S/W를 통해 확인하고 이를 IC 제조공정에 넘기는 과정)을 진행한 것으로 알려졌다.
FinFET으로 알려진 3D 트랜지스터 기술은 인텔에서 하스웰 (Haswell) 기반의 제품들을 22nm 공정을 통해 제품을 만들고 있으며 최근 인텔은 아톰 (Atom) SoC를 22nm 공정의 3D 트랜지스터 기술을 이용해 만든 바 있다. 3D 트랜지스터 기술은 전통적인 공정 기술로 만든 칩과 비교해 더 낮은 전압에서도 동작 가능하며 전력 소비 감소와 이를 통한 배터리 수명 확장이 가능해 모바일 칩에 적합하다.
하지만 인텔을 제외한 나머지 파운드리 제조사는 3D 트랜지스터 도입이 느린 상태이며 기존과 같은 트랜지스터 방식으로 제조하고 있는데 techreport는 ARM과 TSMC가 지난해 말 16nm FinFET을 이용한 테스트 칩의 테입아웃을 진행했다고 전했다.
테스트 칩은 ARM 아키텍처 기반의 big.LITTLE를 포함하는 듀얼 코어 Cortex-A57과 쿼드 코어 Cortex-A53으로 이 칩은 소비자가 사용할 SoC 최종판과 유사한 버전으로 알려졌다.
ARM은 TSMC의 16nm FinFET 공정이 28HPM 공정과 비교해 총 전력에서 40% 더 빨라질 수 있으며 같은 속도에서 55%의 전력 감소 효과를 얻을 수 있을 것이라고 전했다.
TSMC는 2014년에는 20nm 공정 생산에 들어가며 2015년부터 본격적인 16nm FinFET 생산에 들어갈 것으로 알려졌는데 올해 16nm FinFET 공정에서 20개 이상의 칩이 테입아웃을 진행할 것으로 예상했다.
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