미세공정 도입이 점점 어려워지고 있는 가운데 이를 극복할 다양한 기술이 소개되고 있으며 공정 및 제품 생산 향상을 위한 EUV 리소그래피 (Lithography) 기술도 그 중 하나다.
EUV 리소그래피 기술과 장비는 ASML이 공급하고 있는데 이 기술은 인텔이 가장 먼저 도입할 것으로 예상되었으나 TSMC가 인텔에 앞서 EUV 리소그래피 기술을 적용할 것이라는 소식이다.
소식을 전한 expreview는 ASML이 EUV 장비를 선적하고 있으며 2016년에는 10nm 공정 노드에서 EUV 리소그래피 기술이 출시, 그리고 인텔에 앞서 TSMC가 이를 도입할 것으로 보인다고 전했다.
그에 따르면 ASML이 공개한 EUV 설비 예측 로드맵을 공개했는데 TSMC는 2대의 NXE:3300B를 구입했고 2015년 공급받을 예정인 것으로 알려졌다. 이는 곧 인텔보다 TSMC가 EUV 리소그래피 공정을 먼저 적용할 것이라는 것을 의미하며 TSMC는 2016년 10nm와 EUV 공정 가동을 시작할 것으로 예상했다.
인텔은 다른 파운드리사보다 EUV 기술 도입에 적극적인 모습을 보여왔고 기술력면에서도 앞서고 있어 가장 빠른 도입이 예상되었지만 이보다 늦춰질 것으로 전망했다. 인텔은 10nm 공정에서 EUV를 도입하지 않는 대신 2018년 등장할 7nm 공정에 EUV 공정을 도입할 것으로 예상했다.
현재 ASML의 EUV 리소그래피 장비인 NXE:3300B는 80W 출력으로 하루 5백장의 웨이퍼, 125W에서는 하루에 1천장 생산 가능하며, 2016년 양산 모델에서는 250W에서 하루에 1500장의 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 알려졌다.
ASML은 2016년 EUV 기술이 10nm 공정에 도입된 이후 2019년에는 낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리, DRAM과 MPU에도 2018년 적용되어 칩 면적과 효율 향상, 2020년에는 50-60대의 EUV 장비를 판매해 120억 달러의 수익을 거둘 수 있을 것으로 전망했다.
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