TSMC는 16nm FinFET 공정과 그 이상의 공정을 개발 중인 것으로 알려진 가운데 차기 10nm 공정 양산 시기에 대한 소식이다.
소식을 전한 fudzilla는 Guru3D의 인터뷰 내용을 인용해 TSMC가 10nm 공정 개발을 진행 중이며 2017년 양산이 가능할 것으로 보인다고 전했다.
그에 따르면 TSMC는 10곳 이상의 고객과 함께 10nm 제품 디자인 작업을 위해 협력 중이며 2015년 말에는 제품 개발의 기본적인 조건을 갖출 것으로 알려졌다. 이후 테입아웃을 진행한 후 2017년이 되면 10nm 공정의 양산이 가능할 것으로 예상했다.
현재 TSMC는 28nm 공정 이후 20nm와 16nm FinFET 공정도 진행 중이며 20nm 공정은 16nm 공정을 개발하는데 중요한 발판을 마련할 것으로 예상했다. 그러나 14nm FinFET 공정 양산에 들어간 삼성과 글로벌파운드리 (Globalfoundries)의 연합에 많은 고객을 잃고 있는 상황인 것으로 알려졌다.
다른 한편으로 TSMC는 10nm 이상의 공정에 대해서는 7nm를 차기 공정으로 개발 중이며 등장 시기는 2017년에서 2019년 사이, 인텔 역시 10nm 공정에서 7nm 공정으로의 이전 계획을 갖고 있는 것으로 알려져 파운드리 제조사의 미세공정 경쟁은 당분간 지속될 것으로 알려졌다.
|
[영상] 삼성 2.5D 후공정 수주/HBM으로 날개 단 SK하이닉스/일본 파운드리 라피더스 등,4월 반도체 업계 동향 뉴스 해석 
