
TSMC¿¡¼ 3, 5nm °øÁ¤À» À§ÇØ 160¾ï ´Þ·¯¸¦ ÅõÀÚÇÑ´Ù´Â ¼Ò½ÄÀÌ ÀüÇØÁ³´Ù.
ÇöÀç TSMC´Â ¾ÖÇÃÀÇ ¸ð¹ÙÀÏ ÇÁ·Î¼¼¼ A10À» 16nmÀ» ¾ç»êÁßÀÎ °¡¿îµ¥ ÀÖÀ¸¸ç Â÷±â ¾ÆÀÌÆù¿¡ žÀçÇÑ A11À» ºñ·ÔÇÑ ¿©·¯ ¸ð¹ÙÀÏ ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ ¾ç»êÇϱâ À§ÇØ 10nm °øÁ¤ ±â¼úÀ» ÁغñÁßÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. À̹ø ¼Ò½ÄÀº ±×·± TSMC¿¡¼ Â÷¼¼´ë 7nm °øÁ¤ Áغñ¿Í ÇÔ²² 3, 5nm°øÁ¤À» À§ÇØ 160¾ï(ÇÑÈ ¾à 18Á¶ 6600¾ï¿ø) ´Þ·¯¸¦ ÅõÀÚÇÑ´Ù´Â Á¤º¸´Ù.
¾Æ¹«·¡µµ Â÷¼¼´ë °øÁ¤¿¡ ÀÖ¾î ´õ¿í Á¤¹ÐÇØÁö°í °æÀï»ç¿ÍÀÇ °æÀﱸµµ°¡ ½ÉȵǴ ¸¸Å º¸´Ù ¾Õ¼± ±â¼ú·ÂÀ» º¸À¯Çϱâ À§ÇÑ Çຸ·Î ÇØ¼®µÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ¿¡ ´ëÇØ¼ ¿Ü½ÅÀº "TSMC ¾Ö³Î¸®½ºÆ®´Â 2019³â »ó¹Ý±â¿¡ ¾ç»êÀ» ¸ñÇ¥·Î µÎ°í ÀÖ´Ù."°í ÀüÇß´Ù.
ÇÑÆí ¹ÝµµÃ¼ÀÇ °øÁ¤ ±â¼úÀÇ ÇѰè·Î ºÒ·È´ø ¸¶ÀÇ 10nm º®À» Çã¹°°í ÀÌÁ¨ ±×º¸´Ù ´õ¿í Á¤±³ÇÑ ±â¼ú·Î ¹ßÀüÇϰí ÀÖ´Ù. ¾ÆÁ÷ ¾î¶² ½ÄÀ¸·Î 5~3nmÀÇ °øÁ¤À» ÁøÇàÇÒÁö¿¡ ´ëÇØ¼± ¾Ë·ÁÁø¹Ù ¾øÀ¸³ª ÃßÈÄ ¼ÒºñÀÚ¿¡°Ô ¾î¶² Á¦Ç°À¸·Î ´Ù°¡¿ÃÁö ¸¹Àº °ü½ÉÀÌ ¸ðÀ̰í ÀÖ´Ù.
|