삼성전자가 AI 시대 확장을 대비한 DRAM 전략을 공개했다.
삼성전자는 자사의 블로그를 통해 AI 시대에는 대용량 고속 데이터 처리의 중요성이 대두되면서 이를 뒷받침할 메모리 기술의 발전과 성능 향상이 중요하다며, 이러한 업계 선도를 위한 메모리 전략을 정리해 알렸다.
이중 눈에 띄는 것 중 하나는 HBM(High Bandwidth Memory) 관련 내용으로, 9.8Gbps 속도의 HBM3E 메모리를 고객사에 샘플 공급할 예정이라는 내용과 함께, 차세대 HBM 메모리인 HBM4 제품을 2025년 목표로 개발 중이란 소식도 전했다.
또한 고속 메모리의 특성상 피할 수 없는 발열 대비를 위해 고온에 최적화된 NCF(Non-conductive Film, 비전도성접착필름) 조립 기술과 HCB(Hybrid Copper Bonding, 하이브리드 본딩) 기술도 준비 중임을 알렸다.
여기에 DDR5 메모리 분야에서는 128GB 모듈을 TSV 공정없이 제작할 수 있게 되어 비용 절감 및 생산성, 소비전력 개선이 가능해졌고, 이는 향후 MRDIMM, CXL 등의 차세대 메모리 솔루션의 기반이 되어줄 것이라고 소개했다.
또한 올해 초 Dell과 인텔 등 여러 메모리 업체들의 협력을 통해 개발한 CAMM(Compression Attached Memory Module)의 JEDEC 표준 승인 이후, 9월 말 발표된 LPCAMM을 업계 최초로 개발하며 새로운 폼팩터 시장을 선도해 나갈 것이라고 포부를 밝혔다.
CAMM은 기존 SO-DIMM 방식에 비해 동일 용량을 57% 얇게 구현할 수 있고, 용량도 최대 128GB 확장할 수 있으며, DRAM 칩을 PCB 양면 혹은 단면 실장, 장비 크기에 맞춰 다른 크기의 PCB 기반 제품을 교체하거나 기존 SO-DIMM 방식 변환 모듈도 지원해 설계 유연성을 높일 수 있는 것이 특징이다.
삼성전자는 SO-DIMM 대비 탑재 면적을 최대 60% 이상 감소시켜 배터리 용량 추가 확보 등 내부 공간을 보다 효율적으로 사용할 수 있고, SO-DIMM 대비 성능은 최대 50%, 전력 효율은 최대 70%까지 향상시켜 인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅(HPC)·서버·데이터센터 등 응용처가 확대될 것으로 기대를 나타냈다.
한편, 지난 2018년 세계 최초로 메모리 내 연산 기능을 탑재해 메모리 병목 현상 개선, 음성 인식 등 특정 작업에서 최대 12배의 성능과 4배의 전력 효율을 달성한 HBM-PIM(Processing-in-Memory)의 성능 개선, 챗GPT와 같은 생성현 AI 응용, CXL DRAM에서의 PIM 아키텍처 구성 연구도 진행 중이다.
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