최근 열린 CPTF (Common Platform Technology Forum)에서 글로벌파운드리 (Globalfoundries)는 14nm-XM FinFET 트랜지스터 3차원 기술을 적용한 ARM 계열 프로세서와 14nm-XM 공정에 대해 소개했다.
xbitlabs는 글로벌파운드리가 14nm-XM 공정을 소개하는 자리에서 14nm-XM 공정 디자인 킷 (PDK)과 ARM 표준 셀 라이브러리와 메모리, 그래픽 데이터베이스 시스템 (GDS) 파일 등을 이용해 예상 성능과 전력 등을 측정했으며 테스트 결과 글로벌파운드리의 28nm SLP 공정 대비 2배 이상의 높은 전력 효율을 제공할 것이라고 전했다.
글로벌파운드리가 개발하고 있는 14nm-XM 공정은 14nm FinFET과 20nm LPM 공정 BEOL (Back-End-of-Line)을 조합하는 방식으로 20nm LPM 기술을 적용함으로써 빠른 시장 투입과 FinFET SoC (System-On-Chip) 적용시 혜택을 누릴 수 있을 것으로 알려졌다.
14nm-XM FinFET 기술은 현재의 모바일 애플리케이션에 보다 적합할 것으로 알려졌으며 28nm SLP 기술보다 61% 향상된 주파수, 동일 주파수에서 62% 낮은 전력 소모, 절반의 실리콘 면적을 이용하면서 성능대비 전력 효율이 크게 개선될 것이라고 전했다.
ARM은 글로벌파운드리의 14nm-XM FinFET 기술과 이를 적용한 ARM 기반 SoC의 결과를 통해 FinFET 기술 적용으로 인한 잠재적 가능성을 확인할 수 있었으며 서로의 협력을 바탕으로 고객들에게 SoC 디자인과 그에 따른 위험 요소를 줄일 수 있을 것이라고 밝혔다.
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