글로벌파운드리 (GlobalFoundries)에 이어 IBM은 최근 열린 Common Platform 2013 컨퍼런스를 통해 14nm FinFET 웨이퍼를 공개한 바 있는데 삼성전자도 14nm 트랜지스터 기반의 하이브리드 웨이퍼 (Wafer)를 공개했다.
삼성전자 20nm/ 14nm 하이브리드 웨이퍼를 소개한 semiaccurate는 삼성전자는 여전히 해당 공정은 실험단계가 진행 중이며 연구가 지속되고 있다고 전했다.
삼성전자가 공개한 웨이퍼는 14nm 트랜지스터와 다른 파트를 20nm 기술을 적용해 만들어진 것으로 글로벌파운드리의 14XM 및 경쟁 파운드리사와 유사한 방법으로 구현하고 있는 것으로 알려졌다.
14nm 공정 기반 웨이퍼는 상당히 큰 규모로 기존 웨이퍼 대비 많은 수의 칩을 생산 가능할 것으로 알려졌다.
글로벌파운드리는 공정이 순조로울 경우 2014년 20nm 공정 기반 양산, 14nm 공정은 올해 테스트 테잇아웃을 거쳐 2014년 제품 생산에 들어갈 수 있을 것으로 예상했는데 삼성전자는 아직 구체적인 계획은 알려져 있지 않은 상황이다. 그러나 파운드리 업체의 미세공정 경쟁이 본격적으로 진행되고 있는 만큼 경쟁에서 유리한 위치를 차지하기 위해서는 조금 더 앞서거나 늦어도 유사한 시기에 제품 생산이 가능해야 승산이 있을 것으로 예상된다.
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