대만 디지타임즈 (Digitimes)는 삼성전자가 3만장 수준의 웨이퍼 (Wafers) 생산이 가능한 20nm Fab 건설을 계획 중이라고 전했다.
삼성전자의 이번 20nm Fab 건설에 대해 업계는 라이벌 파운드리사인 TSMC와 미세공정 경쟁을 염두에 둔 것으로 공정 경쟁의 신호탄이 될 것으로 보인다고 언급했다.
삼성전자는 20nm 공정 Fab 건설 계획과 함께 20nm 공정 개발에 박차를 가하고 있으며 R&D 리소스를 20nm 공정에 보다 집중하고 있는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 20nm 공정을 2014년 초부터 제공하기 시작할 것으로 전망했으나 20nm로 만들어질 제품군에 대해서는 아직 밝히지 않았다.
20nm 공정 제품생산률은 현재 삼성전자는 10% 이내로 보고 있으며 TSMC의 20nm 제품생산률은 삼성전자보다 나은 20-30%에 도달했다고 전했다.
TSMC는 20nm 공정 기반 칩의 양산 계획은 2014년 초로 알려졌진 가운데 파운드리에서는 단지 한 종류의 공정 칩 생산만 가능할 것으로 알려졌다.
TSMC는 최근 고성능 20nm 칩 생산은 2014년 하반기에 가능할 것으로 전해졌고 삼성전자도 2014년 초부터 제공 가능할 것으로 알려지고 있는 만큼 20nm 공정 칩 전반의 본격적인 생산과 안정화 시기는 더 늦춰질 것으로 보인다.
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